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2017 | OriginalPaper | Buchkapitel

15. Creep in Silicon Carbide (SiC)

verfasst von : Joshua Pelleg

Erschienen in: Creep in Ceramics

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

Silicon carbide (SiC) is a technologically important ceramic, due to its high hardness, optical properties, and thermal conductivity. The high strength of SiC is a consequence of the strong covalent bonds (similar to diamonds) providing resistance to high pressures. The properties of SiC, which are similar to those of diamonds, have opened the gem industry to this material for use as a possible diamond substitute. However, a very important application of SiC is in microelectromechanical systems (MEMS), such as in wide-band gap semiconductors and power semiconductors, due its inherent strength and durability. Creep in polycrystalline and single-crystal SiC is the subject of this chapter. SiC is reinforced with fibers among them SiC fibers. Creep rupture is evaluated in a section devoted to this subject. Superplasticity observed in SiC is also discussed.

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Literatur
1.
Zurück zum Zitat Atkinson A, Monty C (1989) Surfaces and Interfaces of Ceramic Materials. In: Dufour LC et al (ed), Kluwer Academic, Dordrecht, p 273 Atkinson A, Monty C (1989) Surfaces and Interfaces of Ceramic Materials. In: Dufour LC et al (ed), Kluwer Academic, Dordrecht, p 273
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Zurück zum Zitat Carter CH, Jr Davis RF Bentley J (1984) J Am Ceram Soc 67[I]: 408 Carter CH, Jr Davis RF Bentley J (1984) J Am Ceram Soc 67[I]: 408
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Metadaten
Titel
Creep in Silicon Carbide (SiC)
verfasst von
Joshua Pelleg
Copyright-Jahr
2017
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-50826-9_15

    Marktübersichten

    Die im Laufe eines Jahres in der „adhäsion“ veröffentlichten Marktübersichten helfen Anwendern verschiedenster Branchen, sich einen gezielten Überblick über Lieferantenangebote zu verschaffen.