Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 10/2016

Open Access 26.02.2016

Dislocations as a Noise Source in LWIR HgCdTe Photodiodes

verfasst von: Krzysztof Jóźwikowski, Alina Jóźwikowska, Andrzej Martyniuk

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 10/2016

Diesen Artikel als PDF-Version lesen.

loading …
Vorheriger Artikel Structural and Optoelectrical Properties of ZnTe Thin Films Prepared by E-Beam Evaporation
Nächster Artikel Fabrication of GaN Microporous Structure at a GaN/Sapphire Interface as the Template for Thick-Film GaN Separation Grown by HVPE
download
DOWNLOAD
print
DRUCKEN
Metadaten
Titel
Dislocations as a Noise Source in LWIR HgCdTe Photodiodes
verfasst von
Krzysztof Jóźwikowski
Alina Jóźwikowska
Andrzej Martyniuk
Publikationsdatum
26.02.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 10/2016
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-4390-z

Weitere Artikel der Ausgabe 10/2016

Journal of Electronic Materials 10/2016 Zur Ausgabe

OriginalPaper

Aluminum-Scandium: A Material for Semiconductor Packaging

OriginalPaper

Suppression of a Charge Density Wave in ([SnSe]1.15)1(VSe2)1 Ferecrystals Via Isoelectronic Doping with Ta

OriginalPaper

Preparation and Sintering Properties of Ag27Cu2Sn Nanopaste as Die Attach Material

OriginalPaper

Theoretical and Experimental Study on Thermoelectric Properties of Ba8TM x Ga y Ge46–x–y (TM = Zn, Cu, Ag) Type I Clathrates

OriginalPaper

Monolayer MoS2 Nanoribbons as a Promising Material for Both n-type and p-type Legs in Thermoelectric Generators

OriginalPaper

Ergodic Relaxor State with High Energy Storage Performance Induced by Doping Sr0.85Bi0.1TiO3 in Bi0.5Na0.5TiO3 Ceramics

Neuer Inhalt

    Bildnachweise