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2018 | OriginalPaper | Buchkapitel

11. Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry

verfasst von : Mitsuhiro Tomita

Erschienen in: Compendium of Surface and Interface Analysis

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

Ion beam bombardment with energy of less than a few tens of kiloelectron volts (primary ion bombardment) onto the sample surface causes sputtering phenomena following cascade mixing in the near-surface of the sample.

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Literatur
1.
Zurück zum Zitat Wittmaack, K.: Artifacts in low-energy depth profiling using oxygen primary ion beams: dependence on impact angle and oxygen flooding conditions. J. Vac. Sci. Technol., B 16, 2776–2785 (1998)CrossRef Wittmaack, K.: Artifacts in low-energy depth profiling using oxygen primary ion beams: dependence on impact angle and oxygen flooding conditions. J. Vac. Sci. Technol., B 16, 2776–2785 (1998)CrossRef
2.
Zurück zum Zitat Jiang, Z.X., Lerma, J., Sieloff, D., Lee, J.J., Backer, S., Bagchi, S., Conner, J.: Ultrahigh resolution secondary ion mass spectrometry profiling with oblique O2+ beams below 200 eV. J. Vac. Sci. Technol., B 22, 630–635 (2004)CrossRef Jiang, Z.X., Lerma, J., Sieloff, D., Lee, J.J., Backer, S., Bagchi, S., Conner, J.: Ultrahigh resolution secondary ion mass spectrometry profiling with oblique O2+ beams below 200 eV. J. Vac. Sci. Technol., B 22, 630–635 (2004)CrossRef
3.
Zurück zum Zitat Surface chemical analysis—secondary-ion mass spectrometry—method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials. ISO 23812 (2009) Surface chemical analysis—secondary-ion mass spectrometry—method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials. ISO 23812 (2009)
4.
Zurück zum Zitat Tomita, M., Hongo, C., Suzuki, M., Takenaka, M., Murakoshi, A.: Ultra-shallow depth profiling with secondary ion mass spectrometry. J. Vac. Sci. Technol., B 22, 317–322 (2004)CrossRef Tomita, M., Hongo, C., Suzuki, M., Takenaka, M., Murakoshi, A.: Ultra-shallow depth profiling with secondary ion mass spectrometry. J. Vac. Sci. Technol., B 22, 317–322 (2004)CrossRef
5.
Zurück zum Zitat Surface chemical analysis—secondary-ion mass spectrometry—determination of relative sensitivity factors from ion-implanted reference materials. ISO 18114 (2003) Surface chemical analysis—secondary-ion mass spectrometry—determination of relative sensitivity factors from ion-implanted reference materials. ISO 18114 (2003)
Metadaten
Titel
Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry
verfasst von
Mitsuhiro Tomita
Copyright-Jahr
2018
Verlag
Springer Singapore
DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-10-6156-1_11

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