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Erschienen in:
2001 | OriginalPaper | Buchkapitel
Dynamics of p+ polysilicon gate depletion due to the formation of boron compounds in TiSi2
verfasst von : F. G. Lau, W. Molzer
Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001
Verlag: Springer Vienna
Enthalten in: Professional Book Archive
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In dual workfunction gate technologies it can be observed, that p+ poly gates of pMOSFETs tend to lose boron doping. This work presents a model for the transport of Si and B in the TiSi2/polysilicon bilayer system that can explain the saturation of the B dose loss.