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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 10/2013

01.10.2013

Effect of Different Quantum Well Structures on the Output Power Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes

verfasst von: Jaecheon Han, Gucheol Kang, Daesung Kang, Yongtae Moon, Hwanhee Jeong, June-O Song, Tae-Yeon Seong

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 10/2013

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Metadaten
Titel
Effect of Different Quantum Well Structures on the Output Power Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes
verfasst von
Jaecheon Han
Gucheol Kang
Daesung Kang
Yongtae Moon
Hwanhee Jeong
June-O Song
Tae-Yeon Seong
Publikationsdatum
01.10.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 10/2013
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-013-2704-y

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