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2019 | OriginalPaper | Buchkapitel

Effect of Passivating and Metallization Layers on Low Energy Proton Induced Single-Event Upset

verfasst von : Ruiqiang Song, Jinjin Shao, Bin Liang, Yaqing Chi, Jianjun Chen

Erschienen in: Computer Engineering and Technology

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

Using Monte Carlo and TCAD simulation, we investigate the effect of passivating and metallization layers on low energy proton induced SEU in the commercial SRAM cell. Simulation results indicate metallization layers and tungsten contacts significantly reduce proton energy and enhance the energy distribution. Therefore, they can decrease the SEU percentage of the commercial SRAM cell.

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Metadaten
Titel
Effect of Passivating and Metallization Layers on Low Energy Proton Induced Single-Event Upset
verfasst von
Ruiqiang Song
Jinjin Shao
Bin Liang
Yaqing Chi
Jianjun Chen
Copyright-Jahr
2019
Verlag
Springer Singapore
Buch
Computer Engineering and Technology

Print ISBN: 978-981-15-1849-2

Electronic ISBN: 978-981-15-1850-8

Copyright-Jahr: 2019

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-15-1850-8_13

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