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Erschienen in:
Co-existence of Multiferroic Memories in CoFe2O4/Bi3.4Sm0.6Ti3O12 Composite Structures Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Effect of Slow Traps on Capacitance–Voltage Measurement

verfasst von : Ankita Gangwar, Baquer Mazhari

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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Charge density inside a two terminal device is probed using two different methods—integration of Capacitance–Voltage characteristic and integration of discharge current following a voltage step. Difference in the two measured values is explained due to presence of slow traps. Simulations are done to validate the proposed explanation.

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Metadaten
Titel
Effect of Slow Traps on Capacitance–Voltage Measurement
verfasst von
Ankita Gangwar
Baquer Mazhari
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Physics of Semiconductor Devices

Print ISBN: 978-3-319-03001-2

Electronic ISBN: 978-3-319-03002-9

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_230