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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 12/2000

01.12.2000 | Letter

Effect of UV-ozone oxidation on the device characteristics of InP-based heterostructure bipolar transistors

verfasst von: R. Driad, W. R. McKinnon, Z. H. Lu, S. P. McAlister

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 12/2000

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Metadaten
Titel
Effect of UV-ozone oxidation on the device characteristics of InP-based heterostructure bipolar transistors
verfasst von
R. Driad
W. R. McKinnon
Z. H. Lu
S. P. McAlister
Publikationsdatum
01.12.2000
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 12/2000
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-000-0127-z

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