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Erschienen in:
1989 | OriginalPaper | Buchkapitel
Heteroübergänge
verfasst von : Prof. Dr. Karl Joachim Ebeling
Erschienen in: Integrierte Optoelektronik
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
Enthalten in: Professional Book Archive
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Heteroübergänge werden von zwei aneinandergrenzenden Halbleiterkristallen mit verschiedenen Bandlückenenergien gebildet. Man unterscheidet Übergänge vom selben Leitungstyp (n-n, p-p) oder Übergänge von verschiedenem Typ (p-n). Im Idealfall handelt es sich um einen abrupten Übergang zwischen den Materialien. In der Praxis kann man Übergänge innerhalb weniger (2 bis 3) Atomlagen realisieren. Bei Gitterfehlanpassung (> 0.1%) der beiden Halbleiter bilden sich Defektstellen an der Grenzfläche aus, die zu maßgeblichen Abweichungen vom idealen Verhalten eines Heteroüberganges führen.