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Erschienen in:

2018 | OriginalPaper | Buchkapitel

High Order Laterally-Coupled Distributed-Feedback GaSb-Based Diode Lasers at 1.9 μm Wavelength

verfasst von : Huan Li, Sheng-wen Xie, Yu Zhang, Shu-Shan Huang, Jin-Liang Wang, Zhi-Chuan Niu

Erschienen in: Advanced Functional Materials

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

We reported on GaSb-based laterally coupled distributed-feedback (LC-DFB) quantum well lasers. The lateral grating of the LC-DFB lasers were patterned along both sidewalls of the ridge waveguide. Gratings with higher order could enhance the lithographic tolerance for lower resolution patterning, yielding lasers more amenable to mass-manufacturing. The lasers emitting wavelength was at 1.9 μm in a single longitudinal mode at room temperature. A low wavelength dependent current tuning coefficient of 0.13 nm/mA was measured for the laser output. We obtained high output power of 13.6 mW, which were suitable for gas analysis.

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Titel: High Order Laterally-Coupled Distributed-Feedback GaSb-Based Diode Lasers at 1.9 μm Wavelength
verfasst von: Huan Li
Sheng-wen Xie
Yu Zhang
Shu-Shan Huang
Jin-Liang Wang
Zhi-Chuan Niu
Verlag: Springer Singapore
Buch: Advanced Functional Materials
Print ISBN: 978-981-13-0109-4

Electronic ISBN: 978-981-13-0110-0

Copyright-Jahr: 2018
DOI: https://doi.org/10.1007/978-981-13-0110-0_39

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