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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 11/2001

01.11.2001 | Special Issue Paper

In-situ monitoring, structural, and optical properties of ultrathin GaSb/GaAs quantum wells grown by OMVPE

verfasst von: O. J. Pitts, S. P. Watkins, C. X. Wang, J. A. H. Stotz, M. L. W. Thewalt

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 11/2001

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Metadaten
Titel
In-situ monitoring, structural, and optical properties of ultrathin GaSb/GaAs quantum wells grown by OMVPE
verfasst von
O. J. Pitts
S. P. Watkins
C. X. Wang
J. A. H. Stotz
M. L. W. Thewalt
Publikationsdatum
01.11.2001
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 11/2001
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-001-0193-x

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