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2. Lateral GaN HEMT Structures

  • 2018
  • OriginalPaper
  • Buchkapitel
Erschienen in:
Verfasst von
Chang Soo Suh
Erschienen in
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
Verlag
Springer International Publishing

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Abstract

This chapter describes the basic GaN-based HEMT device, including the polarization effects and surface states responsible for the formation of the 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures. GaN HEMT device structure innovations for increasing the channel mobility, reducing the current collapse phenomena, achieving high voltage breakdown, and enabling normally off operation are presented.

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Titel
Lateral GaN HEMT Structures
Verfasst von
Chang Soo Suh
Copyright-Jahr
2018
Buch
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion

Print ISBN: 978-3-319-77993-5

Electronic ISBN: 978-3-319-77994-2

Copyright-Jahr: 2018

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-77994-2_2
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