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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 9/2018

14.05.2018 | Topical Collection: 17th Conference on Defects (DRIP XVII)

Effect of Germanium Doping on the Production and Evolution of Divacancy Complexes in Neutron Irradiated Czochralski Silicon

verfasst von: Peng Dong, Ping Yang, Xuegong Yu, Lin Chen, Yao Ma, Mo Li, Gang Dai, Jian Zhang

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 9/2018

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Metadaten
Titel
Effect of Germanium Doping on the Production and Evolution of Divacancy Complexes in Neutron Irradiated Czochralski Silicon
verfasst von
Peng Dong
Ping Yang
Xuegong Yu
Lin Chen
Yao Ma
Mo Li
Gang Dai
Jian Zhang
Publikationsdatum
14.05.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 9/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6266-x

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