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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 5/2011

01.05.2011

Carrier Doping in the Type VIII Clathrate Ba8Ga16Sn30 Through Sb Substitution

verfasst von: Yasushi Kono, Nobuyuki Ohya, Yuhta Saiga, Koichiro Suekuni, Toshiro Takabatake, Koji Akai, Setsuo Yamamoto

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 5/2011

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Metadaten
Titel
Carrier Doping in the Type VIII Clathrate Ba8Ga16Sn30 Through Sb Substitution
verfasst von
Yasushi Kono
Nobuyuki Ohya
Yuhta Saiga
Koichiro Suekuni
Toshiro Takabatake
Koji Akai
Setsuo Yamamoto
Publikationsdatum
01.05.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 5/2011
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-011-1590-4

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