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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2004

01.05.2004 | Physics of Semiconductor Devices

Low-threshold 1.3-µm injection lasers based on single InGaAsN quantum wells

verfasst von: V. A. Odnoblyudov, A. Yu. Egorov, M. M. Kulagina, N. A. Maleev, Yu. M. Shernyakov, E. V. Nikitina, V. M. Ustinov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2004

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Metadaten
Titel
Low-threshold 1.3-µm injection lasers based on single InGaAsN quantum wells
verfasst von
V. A. Odnoblyudov
A. Yu. Egorov
M. M. Kulagina
N. A. Maleev
Yu. M. Shernyakov
E. V. Nikitina
V. M. Ustinov
Publikationsdatum
01.05.2004
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2004
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1755901

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