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Erschienen in:
GaN Substrate Material for III–V Semiconductor Epitaxy Growth Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2019 | OriginalPaper | Buchkapitel

9. On the Light Extraction Efficiency for III-Nitride-Based Light-Emitting Diodes

verfasst von : Zi-Hui Zhang, Yonghui Zhang, Sung-Wen Huang Chen, Wengang Bi, Hao-Chung Kuo

Erschienen in: Light-Emitting Diodes

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

Considering the large contrast of the refractive index between the air and the III-nitride semiconductor layer, the external quantum efficiency for III-nitride-based light-emitting diodes is strongly influenced by the light extraction efficiency. This chapter reviews the current status for the technologies that have been adopted thus far to improve the light extraction for III-nitride-based light-emitting diodes. Meanwhile, in-depth physical interpretations are also presented and discussed.

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Metadaten
Titel
On the Light Extraction Efficiency for III-Nitride-Based Light-Emitting Diodes
verfasst von
Zi-Hui Zhang
Yonghui Zhang
Sung-Wen Huang Chen
Wengang Bi
Hao-Chung Kuo
Copyright-Jahr
2019
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Light-Emitting Diodes

Print ISBN: 978-3-319-99210-5

Electronic ISBN: 978-3-319-99211-2

Copyright-Jahr: 2019

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-99211-2_9

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