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ATZelectronics worldwide
Erschienen in: ATZelectronics worldwide 2/2015

01.04.2015 | Development

Optimisation of IGBTs During the Commutation Process

verfasst von: Dipl.-Ing. Jean-Marc Cyr

Erschienen in: ATZelectronics worldwide | Ausgabe 2/2015

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Excerpt

For some electronic switches, like IGBTs, optimising the control of the switching process is very difficult because of their deep non-linearity. Moreover, during the commutation process, semiconductor switch performance is mainly driven by overvoltage and junction temperature. Overvoltage depends on the speed of the current changes in the high frequency loops (HFL) and the value of the parasitic inductance of the HFL. Eliminating the connections and the isolations which create inductances and capacitors is not possible. The layout imposes a limit above which the speed of the power electronic switch must not exceed. TM4 introduces a solution. …
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Literatur
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Martin, P.R.W.: Power Semiconductor Handbook, Semiokron International, 1980, p. 276
Metadaten
Titel
Optimisation of IGBTs During the Commutation Process
verfasst von
Dipl.-Ing. Jean-Marc Cyr
Publikationsdatum
01.04.2015
Verlag
Springer Fachmedien Wiesbaden
Erschienen in
ATZelectronics worldwide / Ausgabe 2/2015
Elektronische ISSN: 2524-8804
DOI
https://doi.org/10.1007/s38314-015-0516-y

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