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Journal of Nanoparticle Research
Erschienen in: Journal of Nanoparticle Research 8/2009

01.11.2009 | Research Paper

Photoluminescence of InAs quantum dots embedded in graded InGaAs barriers

verfasst von: Zongyou Yin, Xiaohong Tang, Jixuan Zhang, Jinghua Zhao, Sentosa Deny, Hao Gong

Erschienen in: Journal of Nanoparticle Research | Ausgabe 8/2009

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Abstract

The effects of the top barrier and the dot density on photoluminescence (PL) of the InAs quantum dots (QDs) sandwiched by the graded InxGa1−xAs barriers grown by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) have been studied. Two emission peaks corresponding to the ground state and the 1st excited state transitions of the QD structures have been observed, which matches well to the theoretical calculation. The PL emission linewidth and intensity of the InAs QDs structure are improved by reducing the Indium/Gallium composition variation of the graded InxGa1−xAs top barrier layer of the structure. The QDs’ ground states filling excitation power depends on the crystal quality of the InGaAs barrier layer and the QD density. The extracted thermal activation energy for the QDs’ PL emission is sensitive to the QD size.
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Metadaten
Titel
Photoluminescence of InAs quantum dots embedded in graded InGaAs barriers
verfasst von
Zongyou Yin
Xiaohong Tang
Jixuan Zhang
Jinghua Zhao
Sentosa Deny
Hao Gong
Publikationsdatum
01.11.2009
Verlag
Springer Netherlands
Erschienen in
Journal of Nanoparticle Research / Ausgabe 8/2009
Print ISSN: 1388-0764
Elektronische ISSN: 1572-896X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11051-008-9551-4

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