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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 1/2007

01.01.2007 | Low-Dimensional Systems

Quantum efficiency and formation of the emission line in light-emitting diodes based on InGaN/GaN quantum well structures

verfasst von: N. I. Bochkareva, D. V. Tarkhin, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, Yu. S. Lelikov, I. A. Martynov, Yu. G. Shreter

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/2007

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Metadaten
Titel
Quantum efficiency and formation of the emission line in light-emitting diodes based on InGaN/GaN quantum well structures
verfasst von
N. I. Bochkareva
D. V. Tarkhin
Yu. T. Rebane
R. I. Gorbunov
Yu. S. Lelikov
I. A. Martynov
Yu. G. Shreter
Publikationsdatum
01.01.2007
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/2007
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782607010174

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