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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 7/2013

01.07.2013

Room-temperature plasmonic resonant absorption for grating-gate GaN HEMTs in far infrared terahertz domain

verfasst von: W. D. Hu, L. Wang, X. S. Chen, N. Guo, J. S. Miao, A. Q. Yu, W. Lu

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 7/2013

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Abstract

The plasmonic resonant phenomenon in the terahertz wave band for GaN high electron mobility transistors is investigated by using a finite difference time domain method. Strong resonant absorptions can be obtained where a large area slit grating-gate serves both as electrodes and coupler. Such kinds of plasmonic resonant detection devices are compatible to the well-developed GaN process, and possibly overcome the difficulty in fabricating ultra-short-gate devices for terahertz applications.
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Literatur
Allen Jr, S.J., Tsui, D.C., DeRosa, F.: Frequency dependence of the electron conductivity in the silicon inversion layer in the metallic and localized regimes. Phys. Rev. Lett. 35, 1359–1362 (1975)ADSCrossRef
Barbieri, S., Alton, J., Beere, H.E., Linfield, E.H., Ritchie, D.A., Withington, S., Scalari, G., Ajili, L., Faist, J.: Heterodyne mixing of two far-infrared quantum cascade lasers by use of a point-contact Schottky diode. Opt. Lett. 29, 1632–1634 (2004)ADSCrossRef
Chu, R.M., Zhou, Y.G., Liu, J., Wang, D., Chen, K.J., Lau, K.M.: AlGaN-GaN DC-HEMTs. IEEE Trans. Electron Devices 52, 438–446 (2005)ADSCrossRef
Coquillat, D., Nadar, S., Teppe, F., Dyakonova, N., Boubanga-Tombet, S., Knap, W., Nishimura, T., Otsuji, T., Meziani, Y.M., Tsymbalov, G.M., Popov, V.V.: Room temperature detection of sub-terahertz radiation in double-grating-gate transistors. Opt. Express 18, 6024–6032 (2010)ADSCrossRef
Dyakonov, M., Shur, M.S.: Detection, mixing, and frequency multiplication of terahertz radiation by two-dimensional electronic fluid. IEEE Trans. Electron Devices 43, 380–387 (1996)ADSCrossRef
Federici, J., Moeller, L.: Review of terahertz and subterahertz wireless communications. J. Appl. Phys. 107, 111101 (2010)ADSCrossRef
Kroug, M., Cherednichenko, S., Merkel, H., Kollberg, E., Voronov, B., Goltsman, G., Huebers, H.W., Richter, H.: NbN hot electron bolometric mixers for terahertz receivers. IEEE Trans. Appl. Superconduct. 11, 962–965 (2001)CrossRef
Muravjov, A.V., Veksler, D.B., Popov, V.V., Polischuk, O.V., Pala, N., Hu, X., Gaska, R., Saxena, H., Peale, R.E., Shur, M.S.: Temperature dependence of plasmonic terahertz absorption in grating-gate gallium-nitride transistor structures. Appl. Phys. Lett. 96, 042105 (2010)ADSCrossRef
Otsuji, T., Kitamura, H.: “Numerical analysis for resonance properties of plasma-wave field-effect transistors and their terahertz applications to smart photonic network systems”, IEICE Trans. Electron., E84-C, 1470–1476 (2001)
Pala, N., Shur, M.S.: Plasmonic terahertz detectors for biodetection. Electron. Lett. 44, 1391–1392 (2008)CrossRef
Popov, V.V., Ermolaev, D.M., Maremyanin, K.V., Maleev, N.A., Zemlyakov, V.E., Gavrilenko, V.I., Shapoval, S.Yu.: High-responsivity terahertz detection by on-chip InGaAs/GaAs field-effect-transistor array. Appl. Phys. Lett. 98, 153504 (2011b)
Popov, V.V., Polischuk, O.V., Teperik, T.V., Peralta, X.G., Allen, S.J., Horing, N.J.M., Wanke, M.C.: Absorption of terahertz radiation by plasmon modes in a grid-gated double-quantum-well field-effect transistor. J. Appl. Phys. 94, 3556–3562 (2003)ADSCrossRef
Popov, V.V., Tsymbalov, G.M., Shur, M.S.: Plasma instability and amplification of terahertz radiation in field-effect transistor arrays. J. Phys. Condens. Matter 20, 1–6 (2008)CrossRef
Popov, V.V.: Plasmon excitation and plasmonic detection of terahertz radiation in the grating-gate field-effect-transistor structures. J. Infrared Mill. Terahz. Waves 32, 1178–1191 (2011a)CrossRef
Sentaurus-TCAD Mannual (Sdevice, TED and EMW), Version D-2010. 03, Synopsys, 2010
Shaner, E.A., Grine, A.D., Reno, J.L., Wanke, M.C., Allen, S.J.: Next-generation detectors—plasmon grating-gate devices have potential as tunable terahertz detectors. Laser Focus World 44, 131–133 (2008)
Wang, L., Chen, X.S., Hu, W.D., Lu, W.: “Spectrum analysis of 2D plasmon in GaN-based high electron mobility transistors”, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., doi: (identifier) 10.1109/JSTQE.2012.2188381 (2012a)
Wang, L., Chen, X.S., Hu, W.D., Wang, J., Wang, J., Wang, X.D., Lu, W.: The plasmonic resonant absorption in GaN double-channel high electron mobility transistors. Appl. Phys. Lett. 99, 063502 (2011)CrossRef
Wang, X.D., Chen, X.S., Hu, W.D., Lu, W.: The study of self-heating and hot-electron effects for AlGaN/GaN double-channel high-electron-mobility-transistors. IEEE Trans. Electron Devices 59, 1393–1401 (2012)ADSCrossRef
Wang, L., Hu, W.D., Chen, X.S., Lu,W.: Plasmon resonant excitation in grating-gated AlN barrier transistors at terahertz frequency. Appl. Phys. Lett. 100, 123501 (2012a)
Metadaten
Titel
Room-temperature plasmonic resonant absorption for grating-gate GaN HEMTs in far infrared terahertz domain
verfasst von
W. D. Hu
L. Wang
X. S. Chen
N. Guo
J. S. Miao
A. Q. Yu
W. Lu
Publikationsdatum
01.07.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 7/2013
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-013-9652-x

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