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01.07.2013 | Ausgabe 7/2013

Optical and Quantum Electronics 7/2013

Room-temperature plasmonic resonant absorption for grating-gate GaN HEMTs in far infrared terahertz domain

Zeitschrift:
Optical and Quantum Electronics > Ausgabe 7/2013
Autoren:
W. D. Hu, L. Wang, X. S. Chen, N. Guo, J. S. Miao, A. Q. Yu, W. Lu

Abstract

The plasmonic resonant phenomenon in the terahertz wave band for GaN high electron mobility transistors is investigated by using a finite difference time domain method. Strong resonant absorptions can be obtained where a large area slit grating-gate serves both as electrodes and coupler. Such kinds of plasmonic resonant detection devices are compatible to the well-developed GaN process, and possibly overcome the difficulty in fabricating ultra-short-gate devices for terahertz applications.

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