Schaltungen mit über das Gate abschaltbaren Bauelementen

Abbildung 13.1 zeigt das Prinzip eines Gleichstromstellers mit Bauelementen, die über das Gate abschaltbar sind. Darunter werden alle Bauteile (Ventile) verstanden, auf die diese Eigenschaft zutrifft, d. h. bei denen nicht wie bei Thyristoren eine Abschaltung durch Aufbringen einer Anoden-Kathodenspannung ≤ 0 erfolgen muß. MGDs steht für MOS-Gated-Device (siehe Kapitel 10), GTO für Gate-Turn-Off-Thyristoren (Abschnitte 10.4 und 10.7); an ihrer Stelle wären aber auch Bipolartransistoren einsetzbar. Wir wollen den Sammelbegriff MGD/GTO bzw. Ventil (abgekürzt V) verwenden. Zu letzteren zählen natürlich auch Dioden, hier aber sollen nur jene Bauelemente so bezeichnet werden, die über das Gate steuerbar sind. Im Vergleich zum Gleichstromsteller mit konventionellen Thyristoren (vgl. Abschnitt 4.3.2, Abb. 4.88) wird kein eigener Hilfskreis zum Löschen benötigt. Die Schaltfrequenz soll möglichst hoch sein, damit sich eine geringe Welligkeit des Laststromes ergibt. Über das Gate werden das Ein- und Ausschalten der Ventile und über das Einschaltverhältnis die Lastspannung gesteuert.