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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 10/2018

10.08.2018 | U.S. Workshop on Physics and Chemistry of II-VI Materials 2017

Strain Analysis of CdTe on InSb Epitaxial Structures Using X-ray-Based Reciprocal Space Measurements and Dynamical Diffraction Simulations

verfasst von: Michael Liao, Calli Campbell, Cheng-Ying Tsai, Yong-Hang Zhang, Mark Goorsky

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 10/2018

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Metadaten
Titel
Strain Analysis of CdTe on InSb Epitaxial Structures Using X-ray-Based Reciprocal Space Measurements and Dynamical Diffraction Simulations
verfasst von
Michael Liao
Calli Campbell
Cheng-Ying Tsai
Yong-Hang Zhang
Mark Goorsky
Publikationsdatum
10.08.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 10/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6566-1

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