Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Erschienen in:
Introduction Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2020 | OriginalPaper | Buchkapitel

21. Structural Properties 3

Vacancy Defects Studied with Positron Annihilation Spectroscopy

verfasst von : Filip Tuomisto

Erschienen in: Gallium Oxide

Verlag: Springer International Publishing

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Positron annihilation spectroscopy has been applied to study vacancy defects in Ga2O3. Both positron lifetime and Doppler broadening experiments have been performed, both in bulk single crystals and in thin films. The results show that Ga vacancy defects are efficiently formed in thin film growth and account for the electrical compensation in semi-insulating and highly resistive Ga2O3. Their concentrations are very low in n-type material. In (InxGa1−x)2O3 alloys, the nature and behavior of the cation vacancy defects change from Ga2O3-like to In2O3-like along with the crystalline phase. Further work is important to elucidate the details of the vacancy formation mechanisms and the origins of the exceptionally strongly anisotropic positron annihilation signals.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Vorheriges Kapitel Structural Properties 2
Nächstes Kapitel Electrical Properties 1
Literatur
1.
K. Saarinen, S. Kuisma, P. Hautojärvi, C. Corbel, C. LeBerre, Phys. Rev. B 49, 8005 (1994)CrossRef
2.
3.
K. Saarinen, J. Nissilä, H. Kauppinen, M. Hakala, M.J. Puska, P. Hautojärvi, C. Corbel, Phys. Rev. Lett. 82, 1883 (1999)CrossRef
4.
F. Tuomisto, V. Ranki, K. Saarinen, D.C. Look, Phys. Rev. Lett. 91, 205502 (2003)CrossRef
5.
J.-M. Mäki, F. Tuomisto, A. Varpula, D. Fisher, R.U.A. Khan, P.M. Martineau, Phys. Rev. Lett. 107, 217403 (2011)CrossRef
6.
F. Tuomisto, V. Prozheeva, I. Makkonen, T.H. Myers, M. Bockowski, H. Teisseyre, Phys. Rev. Lett. 119, 196404 (2017)CrossRef
7.
K.M. Johansen, F. Tuomisto, I. Makkonen, L. Vines, Mater. Sci. Semicond. Process. 69, 23 (2017)CrossRef
8.
9.
E. Korhonen, F. Tuomisto, D. Gogova, G. Wagner, M. Baldini, Z. Galazka, R. Schewski, M. Albrecht, Appl. Phys. Lett. 106, 242103 (2015)CrossRef
10.
V. Prozheeva, R. Hölldobler, H. von Wenckstern, M. Grundmann, F. Tuomisto, J. Appl. Phys. 123, 125705 (2018)CrossRef
11.
12.
P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, D.O. Welch, J. Appl. Phys. 76, 4935 (1994)CrossRef
13.
14.
K. Saarinen, P. Hautojärvi, C. Corbel, Semiconductors and semimetals, in Identification of Defects in Semiconductors, vol. 51A, ed. by M. Stavola (Academic Press, New York, 1998), p. 209
15.
R. Krause-Rehberg, H.S. Leipner, Positron Annihilation in Semiconductors (Springer-Verlag, Berlin, 1998)
16.
F. Tuomisto, in Technology of Gallium Nitride Crystal Growth, ed. by D. Ehrentraut, E. Meissner, M. Bockowski (Springer, Berlin/Heidelberg, 2010)
17.
F. Tuomisto, Semiconductors and Semimetals, in Oxide Semiconductors, vol. 88, ed. by B.G. Svensson, S.J. Pearton, C. Jagadish (Elsevier, Oxford, 2013)
18.
F. Tuomisto, A. Karjalainen, V. Prozheeva, I. Makkonen, G. Wagner, M. Baldini, Proc. SPIE 10919, 1091910 (2019)
19.
I. Makkonen, E. Korhonen, V. Prozheeva, F. Tuomisto, J. Phys.: Condens. Matter 28, 224002 (2016)
20.
J. Varley, H. Peelaers, A. Janotti, C. Van de Walle, J. Phys.: Condens. Matter 23, 334212 (2011)
21.
H. von Wenckstern, D. Splith, M. Purfürst, Z. Zhang, C. Kranert, S. Müller, M. Lorenz, M. Grundmann, Semicond. Sci. Technol. 30, 024005 (2015)CrossRef
22.
C. Kranert, J. Lenzner, M. Jenderka, M. Lorenz, H. von Wenckstern, R. Schmidt-Grund, M. Grundmann, J. Appl. Phys. 116, 013505 (2014)CrossRef
23.
R. Schmidt-Grund, C. Kranert, T. Böntgen, H. von Wenckstern, H. Krauß, M. Grundmann, J. Appl. Phys. 116, 053510 (2014)CrossRef
24.
E. Korhonen, F. Tuomisto, O. Bierwagen, J.S. Speck, Z. Galazka, Phys. Rev. B 90, 245307 (2014)CrossRef
Metadaten
Titel
Structural Properties 3
verfasst von
Filip Tuomisto
Copyright-Jahr
2020
Buch
Gallium Oxide

Print ISBN: 978-3-030-37152-4

Electronic ISBN: 978-3-030-37153-1

Copyright-Jahr: 2020

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-030-37153-1_21

Neuer Inhalt

    Bildnachweise