01.07.1999 | Regular Issue Paper
Structural study of GaN grown on (001) GaAs by organometallic vapor phase epitaxy
Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 7/1999
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by