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Erschienen in: Surface Engineering and Applied Electrochemistry 2/2009

01.04.2009 | Operating Experience

Structure and principal electrophysical properties of Ge1 − x -Si x thin films

verfasst von: Sh. M. Abbasov, G. T. Agaverdiieva, A. S. Baitsar, U. F. Faradzhova, G. M. Mekhdevi

Erschienen in: Surface Engineering and Applied Electrochemistry | Ausgabe 2/2009

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Metadaten
Titel
Structure and principal electrophysical properties of Ge1 − x -Si x thin films
verfasst von
Sh. M. Abbasov
G. T. Agaverdiieva
A. S. Baitsar
U. F. Faradzhova
G. M. Mekhdevi
Publikationsdatum
01.04.2009
Verlag
Allerton Press, Inc.
Erschienen in
Surface Engineering and Applied Electrochemistry / Ausgabe 2/2009
Print ISSN: 1068-3755
Elektronische ISSN: 1934-8002
DOI
https://doi.org/10.3103/S106837550902015X

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