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Journal of Sol-Gel Science and Technology
Erschienen in: Journal of Sol-Gel Science and Technology 3/2010

01.06.2010 | Original Paper

Synthesis, characterization, and dielectric properties of β-Gd2(MoO4)3 thin films prepared by chemical solution deposition

verfasst von: Song Won Ko, Devin A. Mourey, Trevor Clark, Susan Trolier-McKinstry

Erschienen in: Journal of Sol-Gel Science and Technology | Ausgabe 3/2010

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Abstract

A chemical solution was employed for deposition of gadolinium molybdate [β-Gd2(MoO4)3] thin films. Gadolinium acetylacetonate hydrate {[CH3COCH = C(O–)CH3]3Gd·xH2O}, molybdenum isopropoxide {Mo[OCH(CH3)2]5}, and acetylacetone were used in synthesis of this molybdate. Thermal gravimetry and differential scanning calorimetry suggested that crystallization of β-Gd2(MoO4)3 occurs at around 480 °C. Phase-pure, orthorhombic β-Gd2(MoO4)3 films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si(100) substrates. β-Gd2(MoO4)3 films crystallized at 750 °C showed a strong (00l) preferred orientation. The film dielectric constant measured was 10~14 and the dielectric loss was less than 3%. There was no marked signature in the permittivity at the bulk Curie temperature, approximately 159 °C.
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Metadaten
Titel
Synthesis, characterization, and dielectric properties of β-Gd2(MoO4)3 thin films prepared by chemical solution deposition
verfasst von
Song Won Ko
Devin A. Mourey
Trevor Clark
Susan Trolier-McKinstry
Publikationsdatum
01.06.2010
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Sol-Gel Science and Technology / Ausgabe 3/2010
Print ISSN: 0928-0707
Elektronische ISSN: 1573-4846
DOI
https://doi.org/10.1007/s10971-010-2180-2

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