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Erschienen in:
2001 | OriginalPaper | Buchkapitel
Tcad Driven Process Design of 0.15μm Fully-Depleted Soi Transistor for Low Power Applications
verfasst von : N. Miura, H. Hayashi, H. Komatsubara, M. Mochizuki, H. Matsuhashi, Y. Kajita, K. Fukuda
Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001
Verlag: Springer Vienna
Enthalten in: Professional Book Archive
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We presented a TCAD-driven total design methodology of FD-SOI MOSFETs, starting from 0.35µm/2.5V shrinking to 0.15µm/1.5V. Jumping from 0.351.1m to 0.15µm, two-phase experiments are performed effectively supported by exhaustive applications of TCAD local models. SOI specific consideration of SOI film thickness variations (oTsoi) and floating-body effects are the key points for the TCAD driven strategy.