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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 2/2018

21.11.2017

The Effect of SbI3 Doping on the Structure and Electrical Properties of n-Type Bi1.8Sb0.2Te2.85Se0.15 Alloy Prepared by the Free Growth Method

verfasst von: Xiaoyu Wang, Yuan Yu, Bin Zhu, Na Gao, Zhongyue Huang, Bo Xiang, Fangqiu Zu

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 2/2018

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Metadaten
Titel
The Effect of SbI3 Doping on the Structure and Electrical Properties of n-Type Bi1.8Sb0.2Te2.85Se0.15 Alloy Prepared by the Free Growth Method
verfasst von
Xiaoyu Wang
Yuan Yu
Bin Zhu
Na Gao
Zhongyue Huang
Bo Xiang
Fangqiu Zu
Publikationsdatum
21.11.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 2/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-017-5954-2

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