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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 6/2017

01.06.2017

Theoretical study of back-illuminated separated absorption and multiplication AlGaN APDs with different structural parameters

verfasst von: Fuxue Wang

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 6/2017

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Abstract

The low Al-content p-type layer was designed to utilize the polarization field to improve the performance of back-illuminated separated absorption and multiplication AlGaN avalanche photodiodes. The results show that the avalanche breakdown voltage decreases significantly when the polarization field has the same direction as reverse bias field in the multiplication region, and the maximum gain increasing as much as 235% is achieved. Moreover, the effects of both the doping concentration and thickness of each layer on the performance of device are investigated systematically. It is demonstrated that the parameters in inset n1 layer play an important role on the properties of the device. Finally, the influences of density and distribution of defects on the breakdown voltage and gain are analyzed.
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Metadaten
Titel
Theoretical study of back-illuminated separated absorption and multiplication AlGaN APDs with different structural parameters
verfasst von
Fuxue Wang
Publikationsdatum
01.06.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 6/2017
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-017-1055-y

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