01.09.2010
Thermal Expansion of n-Type Doped Bi2Te2.88Se0.12 and p-Type Doped Bi0.52Sb1.48Te3 Solid Solutions from −60°C to +60°C
Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 9/2010
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by