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Erschienen in:
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1988 | OriginalPaper | Buchkapitel

Total Energy Calculations for Intrinsic Defects in Amorphous SiO2

verfasst von : J. Robertson

Erschienen in: The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Verlag: Springer US

Enthalten in: Professional Book Archive

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The semi-empirical methods MINDO/3 and MOPN are used to calculate the total energies of various intrinsic defect configurations. We find that the positively charged trivalent silicon site gains about 1 eV by overcoordination and that the effective correlation energy of the trivalent silicon defect is positive. The creation energy of valence alternation pairs and like-atom bonds is also calculated.

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Metadaten
Titel
Total Energy Calculations for Intrinsic Defects in Amorphous SiO2
verfasst von
J. Robertson
Copyright-Jahr
1988
Verlag
Springer US
Buch
The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Print ISBN: 978-1-4612-8301-0

Electronic ISBN: 978-1-4613-1031-0

Copyright-Jahr: 1988

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1031-0_13

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