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Nano Research
Erschienen in: Nano Research 11/2018

14.06.2018 | Research Article

Towards high-mobility In2xGa2–2xO3 nanowire field-effect transistors

verfasst von: Ziyao Zhou, Changyong Lan, SenPo Yip, Renjie Wei, Dapan Li, Lei Shu, Johnny C. Ho

Erschienen in: Nano Research | Ausgabe 11/2018

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Metadaten
Titel
Towards high-mobility In2xGa2–2xO3 nanowire field-effect transistors
verfasst von
Ziyao Zhou
Changyong Lan
SenPo Yip
Renjie Wei
Dapan Li
Lei Shu
Johnny C. Ho
Publikationsdatum
14.06.2018
Verlag
Tsinghua University Press
Erschienen in
Nano Research / Ausgabe 11/2018
Print ISSN: 1998-0124
Elektronische ISSN: 1998-0000
DOI
https://doi.org/10.1007/s12274-018-2106-9

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