Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Erschienen in:
Introduction Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

3. U-MOSFET Structure

verfasst von : B. Jayant Baliga

Erschienen in: Advanced Power MOSFET Concepts

Verlag: Springer US

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

As discussed in the previous chapter, the first power MOSFET structure commercially introduced by the power semiconductor industry was the double-diffused or D-MOSFET structure. The specific on-resistance of the D-MOSFET devices designed for low blocking voltages was found to be constrained by the significant channel resistance due to the low channel density and the JFET region contribution.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Vorheriges Kapitel D-MOSFET Structure
Nächstes Kapitel SC-MOSFET Structure
Literatur
1.
B.J. Baliga, “Fundamentals of Power Semiconductor Devices”, Springer-Science, New York, 2008.CrossRef
2.
J. Zeng, et al, “An Ultra-Dense Trench-Gated Power MOSFET Technology using a Self-Aligned Process”, IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices, Abstract 7.3, pp. 147–150, 2001.
3.
M. Darwish, et al, “A New Power W-Gated Trench MOSFET (WMOSFET) with High Switching Performance”, IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices, Abstract 1.1, 2003, pp. 100–104.
4.
T. Aoki, et al, “High Performance and Reliability Trench Gate Power MOSFET with Partially Thick Gate Oxide Film Structure”, IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices, Abstract 6.3, pp. 85–88, 2006.
5.
H. Wang, et al, “A 70V UMOS Technology with Trenched LOCOS Process to Reduce Cgs”, IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices, Abstract P8-25, pp. 181–184, 2007.CrossRef
6.
N. Thapar and B. J. Baliga, “Influence of the Trench Corner Design on Edge Termination of UMOS Power Devices”, Solid State Electronics, Vol. 41, pp. 1929–1936, 1997.CrossRef
Metadaten
Titel
U-MOSFET Structure
verfasst von
B. Jayant Baliga
Copyright-Jahr
2010
Verlag
Springer US
Buch
Advanced Power MOSFET Concepts

Print ISBN: 978-1-4419-5916-4

Electronic ISBN: 978-1-4419-5917-1

Copyright-Jahr: 2010

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4419-5917-1_3

Neuer Inhalt

    Bildnachweise