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2018 | OriginalPaper | Buchkapitel

Ultralow Power 8T Subthreshold SRAM Cell

verfasst von : Devarapalli Mounika, Akondi Narayana Kiran

Erschienen in: Microelectronics, Electromagnetics and Telecommunications

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

Static Random Access Memory (SRAM) is an important component in these systems therefore ultralow power SRAM has become popular. An Eight-transistor (8T) SRAM cell achieved high data stability in subthreshold operation. The single ended with dynamic feedback control 8T SRAM Cell was implemented with less power consumption verified at all process corners. The standard deviation and mean calculations performed for static noise margins by using Monte Carlo simulation at 300 mV in cadence 45 nm technology.

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Literatur
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Metadaten
Titel
Ultralow Power 8T Subthreshold SRAM Cell
verfasst von
Devarapalli Mounika
Akondi Narayana Kiran
Copyright-Jahr
2018
Verlag
Springer Singapore
Buch
Microelectronics, Electromagnetics and Telecommunications

Print ISBN: 978-981-10-7328-1

Electronic ISBN: 978-981-10-7329-8

Copyright-Jahr: 2018

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-10-7329-8_70

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    Bildnachweise