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Science China Technological Sciences
Erschienen in: Science China Technological Sciences 8/2018

16.03.2018 | Article

4H-SiC monolithic Darlington transistors with slight current gain drop at high collector current density

verfasst von: Lei Yuan, QingWen Song, XiaoYan Tang, HongPeng Zhang, YiMeng Zhang, Fei Yang, LiXin Guo, YiMen Zhang, YuMing Zhang

Erschienen in: Science China Technological Sciences | Ausgabe 8/2018

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Metadaten
Titel
4H-SiC monolithic Darlington transistors with slight current gain drop at high collector current density
verfasst von
Lei Yuan
QingWen Song
XiaoYan Tang
HongPeng Zhang
YiMeng Zhang
Fei Yang
LiXin Guo
YiMen Zhang
YuMing Zhang
Publikationsdatum
16.03.2018
Verlag
Science China Press
Erschienen in
Science China Technological Sciences / Ausgabe 8/2018
Print ISSN: 1674-7321
Elektronische ISSN: 1869-1900
DOI
https://doi.org/10.1007/s11431-017-9208-4

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