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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 1/2001

01.01.2001 | Atomic Structure and Nonelectronic Properties of Semiconductors

A long-range influence of the argon-ion irradiation on the silicon nitride layers formed by the ion implantation

verfasst von: E. S. Demidov, V. V. Karzanov, D. A. Lobanov, K. A. Markov, V. V. Sdobnyakov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/2001

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Metadaten
Titel
A long-range influence of the argon-ion irradiation on the silicon nitride layers formed by the ion implantation
verfasst von
E. S. Demidov
V. V. Karzanov
D. A. Lobanov
K. A. Markov
V. V. Sdobnyakov
Publikationsdatum
01.01.2001
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/2001
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1340284

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