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Erschienen in:
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2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

A Low Leakage Power-Rail ESD Clamp Circuit with Adjustable Holding Voltage in Nanoscale Process

verfasst von : Xuelin Zhang, Yuan Wang, Guangyi Lu, Song Jia, Xing Zhang

Erschienen in: Unifying Electrical Engineering and Electronics Engineering

Verlag: Springer New York

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Abstract

A new power-rail electrostatic discharge (ESD) clamp circuit with ultra low leakage current and adjustable holding voltage, composed of an NMOS ESD clamp device and a new ESD detection circuit, is proposed in this chapter. The new ESD detection circuit has been verified in a 65-nm CMOS process. Simulating results show that the novel circuit has a standby leakage current of only 20.85 nA, which is two-orders lower than that of the traditional design. Also, by modifying the number of diodes in the circuit, we can adjust the holding voltage of the proposed ESD clamp circuit conveniently to achieve better immunity against mistrigger and transient-induced latch-on events.

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Literatur
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Yeh CT, Liang YC, Ker MD (2011) PMOS-based power-rail ESD clamp circuit with adjustable holding voltage controlled by ESD detection circuit. In: Proc EOS/ESD Symp. pp 1–6
Metadaten
Titel
A Low Leakage Power-Rail ESD Clamp Circuit with Adjustable Holding Voltage in Nanoscale Process
verfasst von
Xuelin Zhang
Yuan Wang
Guangyi Lu
Song Jia
Xing Zhang
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer New York
Buch
Unifying Electrical Engineering and Electronics Engineering

Print ISBN: 978-1-4614-4980-5

Electronic ISBN: 978-1-4614-4981-2

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4614-4981-2_188

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    Bildnachweise