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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2016

29.09.2015

A model for the bandgap energy of the dilute nitride GaNxSb1−x (0 ≤ x ≤ 0.03)

verfasst von: Chuan-Zhen Zhao, Tong Wei, Xiao-Dong Sun, Sha-Sha Wang, Ke-Qing Lu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2016

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Abstract

A model for the bandgap energy of the dilute nitride GaNxSb1−x is developed. It is found that the bandgap reduction is due to two factors. One is the coupling interaction between the higher-lying N levels and the Γ conduction band minimum of GaSb. The other one is the lower-energy N impurity band. It can form the conduction band-edge of GaNxSb1−x. The bandgap reduction due to each factor is obtained. It is found that the bandgap reduction due to the former is much larger than that due to the latter.
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Metadaten
Titel
A model for the bandgap energy of the dilute nitride GaNxSb1−x (0 ≤ x ≤ 0.03)
verfasst von
Chuan-Zhen Zhao
Tong Wei
Xiao-Dong Sun
Sha-Sha Wang
Ke-Qing Lu
Publikationsdatum
29.09.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-3788-3

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