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2020 | OriginalPaper | Buchkapitel

An Investigation on Drain Current of Junction and Junctionless Surrounding Gate MOSFET

verfasst von : Aditya Agarwal, R. L. Sharma, Prashant Mani

Erschienen in: Micro-Electronics and Telecommunication Engineering

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

This paper presents investigation about the drain current parameters of Surrounding Gate MOSFET (SG MOSFET) with junction and junctionless transistor. The junctionless SG MOSFET (JLSG MOSFET) exhibits more current available at low voltage but junction based SG MOSFET exhibits less current at same voltage but depends on parameters. The junction based devices are less costly. Device length also improved in JLSG MOSFET. General variable issues like oxide thickness, channel length and doping concentration are also discussed.

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Metadaten
Titel
An Investigation on Drain Current of Junction and Junctionless Surrounding Gate MOSFET
verfasst von
Aditya Agarwal
R. L. Sharma
Prashant Mani
Copyright-Jahr
2020
Verlag
Springer Singapore
Buch
Micro-Electronics and Telecommunication Engineering

Print ISBN: 978-981-15-2328-1

Electronic ISBN: 978-981-15-2329-8

Copyright-Jahr: 2020

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-15-2329-8_60

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