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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 4/1998

01.04.1998 | Special Issue Paper

Analysis of reactor geometry and diluent gas flow effects on the metalorganic vapor phase epitaxy of AIN and GaN thin films on α(6H)-SiC substrates

verfasst von: A. D. Hanser, C. A. Wolden, W. G. Perry, T. Zheleva, E. P. Carlson, A. D. Banks, R. J. Therrien, R. F. Davis

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 4/1998

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Metadaten
Titel
Analysis of reactor geometry and diluent gas flow effects on the metalorganic vapor phase epitaxy of AIN and GaN thin films on α(6H)-SiC substrates
verfasst von
A. D. Hanser
C. A. Wolden
W. G. Perry
T. Zheleva
E. P. Carlson
A. D. Banks
R. J. Therrien
R. F. Davis
Publikationsdatum
01.04.1998
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 4/1998
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-998-0394-7

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