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Erschienen in:
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1988 | OriginalPaper | Buchkapitel

Analysis of Stress Relaxation and Growth Kinetics for Two-Step Thermal Oxidation of Silicon

verfasst von : Gérard Ghibaudo

Erschienen in: The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Verlag: Springer US

Enthalten in: Professional Book Archive

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Thermal oxidation of silicon has been the subject of much research. The anomalous initial regime of dry oxidation is still a key point for the understanding of the oxidation process. This phenomenon has been studied by many workers1–5 and, in particular, has been attributed to the existence of stress during growth6,7.

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Metadaten
Titel
Analysis of Stress Relaxation and Growth Kinetics for Two-Step Thermal Oxidation of Silicon
verfasst von
Gérard Ghibaudo
Copyright-Jahr
1988
Verlag
Springer US
Buch
The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Print ISBN: 978-1-4612-8301-0

Electronic ISBN: 978-1-4613-1031-0

Copyright-Jahr: 1988

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1031-0_43

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