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Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 3/2022

24.01.2019 | Technical Paper

Analytical model development of channel potential, electric field, threshold voltage and drain current for gate workfunction engineered short channel E-mode N-polar GaN MOS-HEMT

verfasst von: D. K. Panda, T. R. Lenka

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 3/2022

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Abstract

In this paper an enhancement mode (E-mode) short channel N-polar GaN MOS-HEMT is proposed. In order to mitigate different short channel effects, workfunction engineering technique is applied to the gate electrode. An analytical model for channel potential, electric field threshold voltage and drain current is developed for the device and validated with Atlas TCAD simulation results. The variation of minimum channel potential and threshold voltage with respect to different channel lengths is also performed. It is observed that device with triple material gate shows better control of short channel effects as compared to single and double material gate based devices.
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Metadaten
Titel
Analytical model development of channel potential, electric field, threshold voltage and drain current for gate workfunction engineered short channel E-mode N-polar GaN MOS-HEMT
verfasst von
D. K. Panda
T. R. Lenka
Publikationsdatum
24.01.2019
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 3/2022
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-019-04324-3

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