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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 19/2020

14.08.2020

Carrier–phonon interaction of GaAs/Al\(_{0.3}\)Ga\(_{0.7}\)As quantum dots grown by droplet epitaxy

verfasst von: Inah Yeo, Jong Su Kim, Jin Dong Song, Il Ki Han

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 19/2020

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Abstract

We examined several types of GaAs/Al\(_{0.3}\)Ga\(_{0.7}\)As quantum dots (QDs) grown by the droplet epitaxy (DE) technique. Using comparative optical analyses using multi-oscillator models, we investigated the individual exciton–phonon coupling channels of several QD types with different temperature dispersions. Each phonon dispersion was calculated for up to three different coupled modes in a phonon field. Nanoscale phonon engineering can exploit the dynamics of exciton–phonon interactions for the design of efficient acousto-excitonic devices and engineered QD single-photon sources.
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Metadaten
Titel
Carrier–phonon interaction of GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy
verfasst von
Inah Yeo
Jong Su Kim
Jin Dong Song
Il Ki Han
Publikationsdatum
14.08.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 19/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-020-04183-z

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