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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 9/2007

01.09.2007

Characterization of Non-Alloyed Ohmic Contacts to Si-Implanted AlGaN/GaN Heterostructures for High-Electron Mobility Transistors

verfasst von: M. Kocan, G.A. Umana-Membreno, J.S. Chung, F. Recht, L. McCarthy, S. Keller, U.K. Mishra, G. Parish, B.D. Nener

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 9/2007

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Metadaten
Titel
Characterization of Non-Alloyed Ohmic Contacts to Si-Implanted AlGaN/GaN Heterostructures for High-Electron Mobility Transistors
verfasst von
M. Kocan
G.A. Umana-Membreno
J.S. Chung
F. Recht
L. McCarthy
S. Keller
U.K. Mishra
G. Parish
B.D. Nener
Publikationsdatum
01.09.2007
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 9/2007
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-007-0184-7

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