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Erschienen in:
Dynamics of Low Energy Electron Collisions with Molecules and Clusters Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2001 | OriginalPaper | Buchkapitel

Chemisorbed CF3I on a Silicon Surface

verfasst von : Jason E. Sanabia, John H. Moore

Erschienen in: Gaseous Dielectrics IX

Verlag: Springer US

Enthalten in: Professional Book Archive

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In plasma etching of silicon substrates, electron-impact on a halogen-containing feed gas creates chemically-active ions and radicals that react with silicon to form volatile SiXy (X = halogen) species. Unfortunately, the most widely-used feed gas, CF4, has a high global warming potential.1 As a consequence, other halocarbons are being considered as replacements for CF4. Trifluoroiodomethane, CF3I, is a promising candidate: It has a low global-warming potential2 and plasma-etching of silicon dioxide with CF3I has recently been demonstrated3-5.

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Metadaten
Titel
Chemisorbed CF3I on a Silicon Surface
verfasst von
Jason E. Sanabia
John H. Moore
Copyright-Jahr
2001
Verlag
Springer US
Buch
Gaseous Dielectrics IX

Print ISBN: 978-1-4613-5143-6

Electronic ISBN: 978-1-4615-0583-9

Copyright-Jahr: 2001

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-0583-9_16

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