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2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

4. Compact Modeling

verfasst von : Prof. Paul G. A. Jespers

Erschienen in: The g m /I D Methodology, A Sizing Tool for Low-voltage Analog CMOS Circuits

Verlag: Springer US

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Abstract

Though the C.S.M is very instrumental for understanding the operation modes of MOS transistors, it is not suited for circuit design. More appropriate models have been developed for this purpose, namely the E.K.V. model(for Enz, Krumenacher and Vittoz (Enz and Vittoz 2006)) and the A.C.M. model (for Advanced Compact Model(Cunha et al. 1998)). These belong to a category designated currently by the name of compact models. Like the C.S.M, they derive from the gradual channel approximation. More advanced versions encompassing short channel effects and mobility degradation have been developed (Enz and Vittoz 2006), but at the expense of growing complexity. This chapter reviews the basics of the E.K.V and A.C.M models.

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Fußnoten
1
The name ‘slope factor’ given to n covers slightly different concepts in the literature. In strong inversion, the slope factor is invoked generally in order to model the body effect. In weak inversion, n is given by the maximum of the subthreshold slope.
 
2
V TO should not be confused with V T (0). The latter represents the magnitude of V T when V is equal to and is a function thus of the gate voltage and the pinch-off voltage whereas V TO is a constant.
 
3
Slightly different definitions of the specific current are given by Enz and Vittoz (2006) and Cunha et al. (1998). The first makes use of Eq. 4.19 while the second substitutes the factor 0.5 to the factor 2.
 
4
Such short gate lengths require taking into consideration many other short channel effects. The results should be considered as indicative only since many other effects are not considered.
 
Literatur
Chatelain JD (1979) Traité d’Electricité, vol VII, Dispositifs à Semiconducteurs, EPFL
Coltinho RM, Spiller LH, Schneider MC, Montoro CG-M (2001) Metodologia simplificada de extraçao de Parâmetros para o modelo A.C.M. do transistor MOS. VII workshop de Iberchip – IWS’2001
Enz CC, Vittoz EA (2006) Charge-based MOS Transistor Modeling. The EKV model for low-power RF IC design. Wiley, Chichester
Muller RS, Kamins ThI (1977) Device electronics for integrated circuits, 2nd edn. Wiley, New York, p 36
Oguey H, Cserveny S (1982) Sonderdruck aus dem Bulletin des SEV/VSE, Bd. 73, 1982, pp 113–119
Metadaten
Titel
Compact Modeling
verfasst von
Prof. Paul G. A. Jespers
Copyright-Jahr
2010
Verlag
Springer US
Buch
The g m /I D Methodology, A Sizing Tool for Low-voltage Analog CMOS Circuits

Print ISBN: 978-0-387-47100-6

Electronic ISBN: 978-0-387-47101-3

Copyright-Jahr: 2010

DOI
https://doi.org/10.1007/978-0-387-47101-3_4

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    Bildnachweise