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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 5/2015

01.05.2015

Copper diffusion in germanium: connecting point defect parameters with bulk properties

verfasst von: A. Chroneos, Y. Panayiotatos, R. V. Vovk

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 5/2015

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Abstract

Copper diffusion in germanium is fundamentally and technologically important as it has a very low activation energy and influences the precipitation and gettering of copper respectively. These constitute the understanding of copper’s diffusion properties in germanium over a range of temperatures and pressures important. In the present study we use the cBΩ model in which the defect Gibbs energy is proportional to the isothermal bulk modulus (B) and the mean volume per atom (Ω). The elastic and expansivity data is used in the description of the cBΩ model to derive the copper interstitial diffusion coefficient in germanium in the temperature range 827–1,176 K. The calculated results are discussed in view of the available experimental data.
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Metadaten
Titel
Copper diffusion in germanium: connecting point defect parameters with bulk properties
verfasst von
A. Chroneos
Y. Panayiotatos
R. V. Vovk
Publikationsdatum
01.05.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 5/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-2744-6

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