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2011 | OriginalPaper | Buchkapitel

Crystalline Ge1−x Sn x Heterostructures in Lateral High-Speed Devices

verfasst von : Sabina Jeschke, Olivier Pfeiffer, Joerg Schulze, Marc Wilke

Erschienen in: Automation, Communication and Cybernetics in Science and Engineering 2009/2010

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

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This paper describes an approach to manufacture high-speed Germanium MOSFETS with strained channels made from Ge

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-alloys while embedding the needed technology process flow into a virtual knowledge management environment based on a virtual nano electrical lab.

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Metadaten
Titel
Crystalline Ge1−x Sn x Heterostructures in Lateral High-Speed Devices
verfasst von
Sabina Jeschke
Olivier Pfeiffer
Joerg Schulze
Marc Wilke
Copyright-Jahr
2011
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Buch
Automation, Communication and Cybernetics in Science and Engineering 2009/2010

Print ISBN: 978-3-642-16207-7

Electronic ISBN: 978-3-642-16208-4

Copyright-Jahr: 2011

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-642-16208-4_52

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