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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2018

01.03.2018 | Electronic Properties of Semiconductors

Deep Radiation-Induced Defect Centers Created by a Fast Neutron Flux in CdZnTe Single Crystals

verfasst von: S. V. Plyatsko, L. V. Rashkovetskyi

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2018

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Metadaten
Titel
Deep Radiation-Induced Defect Centers Created by a Fast Neutron Flux in CdZnTe Single Crystals
verfasst von
S. V. Plyatsko
L. V. Rashkovetskyi
Publikationsdatum
01.03.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618030181

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