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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 7/2001

01.07.2001 | Regular Issue Paper

Defects in annealed 1.5 MeV boron implanted p-type silicon

verfasst von: J. Y. Dai, K. K. Ong, D. Z. Chi, M. H. Liang, K. C. Leong, L. Chan, S. K. Lahiri

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 7/2001

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Metadaten
Titel
Defects in annealed 1.5 MeV boron implanted p-type silicon
verfasst von
J. Y. Dai
K. K. Ong
D. Z. Chi
M. H. Liang
K. C. Leong
L. Chan
S. K. Lahiri
Publikationsdatum
01.07.2001
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 7/2001
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-001-0070-7

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